任海芳
,
周艳文
,
肖旋
,
郑欣
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.08.019
采用真空热蒸发方法在普通玻璃基底上制备 CuIn0．7 Al0．3 Se2(CIAS)薄膜,并对之进行450℃真空硒化退火处理.结果表明,制备的 CIAS 薄膜具有黄铜矿结构并且以(112)晶面优先生长.真空硒化退火后,薄膜晶体结构更完整,晶粒长大,成分分布均匀,更接近 CIAS 晶体的化学计量比.薄膜为 P 型半导体,退火后的薄膜禁带宽度减小至1．38 eV,带电粒子数下降至2．41E ＋17 cm－3,带电粒子迁移率增加至5．29 cm2/(N·s),电阻率升高至4．9Ω·cm.
关键词:
CIAS 薄膜
,
真空蒸发
,
硒化退火
